| 型号：DMN5L06DW-7 | 类别：FET - 阵列 | 制造商：Diodes Inc |
| 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 描述：MOSFET N-CHAN DUAL 200MW SOT-363 | |
详细参数
| 类别 | FET - 阵列 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CHAN DUAL 200MW SOT-363 |
| 系列 | - |
| 制造商 | Diodes Inc |
| FET型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 50V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 280mA |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 3 欧姆 @ 200mA，2.7V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | - |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 50pF @ 25V |
| 功率_最大 | 200mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装 | SOT-363 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
| 深圳市金嘉锐电子有限公司 | 朱先生086-0755-22929859 |
| 深圳诚思涵科技有限公司 | 朱先生0755-83015506-23947236 |
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| 深圳市欧和宁电子有限公司 | 李小姐 0755-29275935 |
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